Kiwango cha chini cha joto cha bariamu kimetaboliki (β-BaB₂O₄, BBO for short) fuwele ni ya mfumo wa fuwele wa pande tatu, 3m kikundi cha uhakika. Mnamo 1949, Levinna wengine. iligundua bariamu ya awamu ya chini ya joto ya metaborate BaB₂O₄ kiwanja. Mnamo 1968, Brixnerna wengine. imetumia BaCl₂ kama flux kupata kioo uwazi kama sindano. Mnamo 1969, Hubner alitumia Li₂O kama mtiririko wa kukua 0.5mm×0.5mm×0.5mm na kupima data ya msingi ya msongamano, vigezo vya seli na kikundi cha nafasi. Baada ya 1982, Taasisi ya Muundo wa Mambo ya Fujian, Chuo cha Sayansi cha Kichina kilitumia njia ya chumvi-chumvi iliyoyeyushwa kukuza fuwele kubwa katika mtiririko, na kugundua kuwa fuwele ya BBO ni nyenzo bora ya kuongeza maradufu ya ultraviolet. Kwa utumizi wa kubadili Q-elektro-optic, kioo cha BBO kina hasara ya mgawo wa chini wa elektro-optic ambao husababisha voltage ya juu ya nusu-wimbi, lakini ina faida bora ya kiwango cha juu sana cha uharibifu wa leza.

Taasisi ya Fujian ya Muundo wa Mambo, Chuo cha Sayansi cha China imefanya mfululizo wa kazi juu ya ukuaji wa fuwele za BBO. Mnamo 1985, kioo kimoja chenye ukubwa wa φ67mm×14mm kilikuzwa. Saizi ya fuwele ilifikia φ76mm×15mm mnamo 1986 na φ120mm×23mm mnamo 1988.

Ukuaji wa fuwele zaidi ya yote hutumia mbinu ya fuwele ya chumvi iliyoyeyushwa (pia inajulikana kama njia ya juu-seed-crystal, njia ya kuinua-flux, n.k.). Kiwango cha ukuaji wa kioo katikacmwelekeo wa mhimili ni polepole, na ni ngumu kupata fuwele refu la hali ya juu. Zaidi ya hayo, mgawo wa elektro-optic wa kioo cha BBO ni kidogo, na fuwele fupi inamaanisha voltage ya juu ya kufanya kazi inahitajika. Mnamo 1995, Goodnona wengine. ilitumia BBO kama nyenzo ya kielektroniki ya urekebishaji wa EO Q ya Nd:YLF leza. Ukubwa wa kioo hiki cha BBO kilikuwa 3mm×3mm×15mm(x, y, z), na urekebishaji wa mpito ulipitishwa. Ingawa uwiano wa urefu wa urefu wa BBO hii hufikia 5:1, voltage ya robo-wimbi bado ni hadi 4.6 kV, ambayo ni karibu mara 5 ya EO Q-modulation ya kioo cha LN chini ya hali sawa.

Ili kupunguza voltage ya uendeshaji, BBO EO Q-switch hutumia fuwele mbili au tatu pamoja, ambayo huongeza hasara ya uingizaji na gharama. Nickelna wengine. ilipunguza voltage ya nusu-wimbi ya kioo cha BBO kwa kufanya mwanga kupita kwenye kioo kwa mara kadhaa. Kama inavyoonyeshwa kwenye takwimu, boriti ya laser hupitia kioo kwa mara nne, na kuchelewa kwa awamu kunasababishwa na kioo cha juu cha kutafakari kilichowekwa kwenye 45 ° kililipwa na sahani ya wimbi iliyowekwa kwenye njia ya macho. Kwa njia hii, voltage ya nusu-wimbi ya swichi hii ya BBO Q inaweza kuwa chini ya 3.6 kV.

Kielelezo 1. BBO EO Q-modulation na voltage ya chini ya nusu-wimbi - WISOPTIC

Mnamo 2011 Perlov na wengine. ilitumia NaF kama flux kukuza kioo cha BBO chenye urefu wa 50mmcmwelekeo wa mhimili, na kupatikana kwa kifaa cha BBO EO chenye ukubwa wa 5mm×5mm×40mm, na kwa usawa wa macho bora kuliko 1×10⁻⁶ sentimita⁻¹, ambayo inakidhi mahitaji ya EO Q-switching maombi. Hata hivyo, mzunguko wa ukuaji wa njia hii ni zaidi ya miezi 2, na gharama bado ni kubwa.

Kwa sasa, mgawo wa chini wa EO wa kioo cha BBO na ugumu wa kukuza BBO yenye saizi kubwa na ubora wa juu bado unazuia utumizi wa ubadilishaji wa EO Q wa BBO. Hata hivyo, kutokana na kiwango cha juu cha uharibifu wa laser na uwezo wa kufanya kazi kwa marudio ya juu ya marudio, kioo cha BBO bado ni aina ya nyenzo za EO Q-modulation zenye thamani muhimu na kuahidi siku zijazo.

Mchoro wa 2. BBO EO Q-Switch yenye volti ya chini ya nusu-wimbi - Imetengenezwa na WISOPTIC Technology Co., Ltd.